在5月19日的“2016三星移动解决方案论坛”上，三星半导体又出新招，10纳米LPDDR4移动DRAM、超高速UFS内置存储器、基于Dual Pixel技术的图像传感器等尖端产品纷纷亮相。

　　（全球首次推出10纳米级8GB D-RAM，注：10纳米相当于1根头发丝直径的六千分之一）

　　但你知道吗，三十几年前，三星对于发展半导体其实是不看好的。

　　小星来解释：半导体是指导电性可受控制的材料。我们常用的电子产品，如电脑、手机中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。

　　选择——李健熙坚持半导体的睿智眼光

　　早在1974年的时候，李健熙就敏锐地察觉到，重化工业迟早会衰落，只有发展半导体三星才能跟紧国际步伐。

　　但当时韩国国内半导体研发能力极低，国外起步较早的日本半导体垄断了亚洲的半导体市场，集团内部也都是反对声浪：“半导体会拖垮三星！”由于半导体行业前期需要投入巨额资金并且产品寿命周期短，只要稍微晚一拍，生产出来的产品就会变为废品，一旦开始投资可能要面临连续十几年的亏损，向来谨慎三星创始人李秉喆也认为半导体行业投资高、风险大，不到进入的时候。

　　李健熙没有获得父亲和集团的支持，但他没有放弃，1974年他个人出资收购韩国半导体50%股份，为了跨越技术壁垒，李健熙先后50多次走访硅谷，努力引进半导体技术和人才，但即便如此仍旧不够，韩国与西方发达国家的差距让他一度陷入绝望。

　　决定——李秉喆大手笔布局半导体

　　对于儿子李健熙的坚持，李秉喆一直在默默观察。

　　李秉喆是个谋定而后动的人，他先是仔细观察了日本，1973年石油危机后，日本将钢铁、纤维、造船和水泥等重工业调整为半导体、电脑、新材料和光纤等高新产业，日本专家也告诉李秉喆：半导体将主导未来市场、因为精巧轻便的产品是市场的需求。随后他亲自考察了美国相关企业设施，更坚定“越早进入半导体越好，不然就要落伍”的信念。

　　经过这几年观察考证，年逾古稀的李秉喆决定支持李健熙，他将全资收购的韩国半导体改名三星半导体，请生产家电的负责人帮助李健熙将三星的半导体业务送上正轨，为正式投资半导体铺路。

　　1983年，李秉喆会长通过传媒向大众宣布了自己投资半导体产业的意向，仅6个月就建成了VLSI（超大规模集成电路）量产工厂，开发了具有历史性意义的64K DRAM（动态随机存取存储器），是继美国和日本后的第三个开发成功的国家。

　　此后半导体技术持续发展，1992年率先开发成功64M DRAM，终于在世界上确保了最强的技术实力；1993年如愿以偿地荣登存储器半导体世界第一的宝座。1983年到1994年10年间，半导体集成技术提升了4000倍，半导体产业也成为三星最重要的基础产业之一。

　　机遇——三星半导体的三大转折

　　1.堆栈式存储拉近距离

　　1987年是个转折年，这一时期，在4M DRAM的研发上，企业面临两种储存方式的选择——数据从栈槽底部向上堆积的堆栈式存储，数据向下扩展的沟槽式存储，两种方式各有优缺点，谁都不能判断哪种技术比较先进。李健熙会长判定堆栈式存储方式可能会更容易，所以决定采用堆栈式存储。

　　当时世界第一大半导体制造商选择了沟槽式存储方式，然而在批量生产时生产效率低下，而李健熙选择的堆栈式存储却迎头赶上，快速拉近与世界先进企业之间的差距。

　　2.8英寸晶片创新领先

　　1993年，李健熙决定生产8英寸的晶片。当时半导体晶片国际标准是6英寸，虽说晶圆越大，生产成本就越低，但同时技术超高，难度越大，三星要生产8英寸的晶片所面临的技术风险可能达到1万亿韩元，因此反对声浪此起彼伏。

　　得益于李健熙的果断决策，三星和日本同步研发了16M DRAM，但三星比日本率先投入批量生产，且利用8英寸晶片的技术，生产能力遥遥领先于日本，1993年10月，三星电子在储存器领域跃升到世界第一位。

　　3.独立自主推进NAND

　　2001年，日本第一的存储器公司在NAND闪存（可以存储数据的非易失存储器）领域以45%的市场占有率居于首位，三星电子以26%居第二位，未来的发展是和日本合作？还是企业自主研发？李健熙深思熟虑之后决定三星自主推进NAND闪存产业的发展。

　　“我们应降低前景不明朗的普通DRAM的比重，研发差别化产品，否则将无法确保企业的发展。”

　　2002年三星NAND Flash位居世界榜首；2006年与2007年分别在世界上率先研制成功50纳米级DRAM和30纳米级NAND，三星电子在存储器领域的占有率超过30%，成为业界的强者。

　　李健熙对自己商业眼光的坚持，让三星抓住了新一轮的发展机遇；李秉喆会长主导下建立起来的超高密度集成电路量产体系，是他留给三星集团的“伟大遗产”，后来三星电子“几乎所有电器都能生产”的底气，正是得益于这种半导体技术的累计和基础。

　　(IDC数据)